Transistors. Page 74 sur 114. Avtronic

Transistor IRF610

2.41€ TTC

64 En stock

Transistor IRF610 N-MOS 200V 3.3A 36W<1.5R(2.1A). VGS @10V. Constructeur: VISHAY. Boîtier: TO-220AB. Puissance dissipable. 36 W. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.1 A. Rds (Ohms): 1.5 Ohm

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRF620

2.69€ TTC

47 En stock

Transistor IRF620 N-MOS 200V 5.2A 50W <0.8R(3.1A. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5.2 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.1 A. Rds (Ohms): 0.8. Puissance: 50 W

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRF6215

4.20€ TTC

1 En stock

Transistor MOSFET canal P 150V 13A/44Ap 110W 0.29R (9A)

0

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-P IRF6215SPBF

5.15€ TTC

33 En stock

Transistor MOSFET canal-P. Montage en surface (CMS). 150V 13A/44Ap 110W. Résistance passante RDSon : 0.29 Ohms (9A)

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRF630

2.86€ TTC

253 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 200V 9A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 200V. Id(@25ºC): 9A. Puissance: 75W. Résistance Rds: 0.35 Ohms. MESH OVERLAY MOSFET.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRF630B

3.70€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IRF630B N-MOS 200V 9A/36Ap.72W 0.34R(5.7A). N-Channel MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: Fairchild. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5.7 A. Rds (Ohms): 0.34.

0

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRF630FP

3.19€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor MOSFET canal-N 200V 9A/36Ap.35W. Résistance passante RDSon : 0.4 Ohms (5.4A)

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF634

3.25€ TTC

28 En stock

Transistor IRF634 N-MOS 250V 8.1A 74W <0.45R(5A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8.1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5 A. Rds (Ohms): 0.45. Puissance: 74 W

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF634B

3.53€ TTC

21 En stock

Transistor IRF634B N-MOS 250V 8.1A 74W <0.348R(5.1A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8.1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5.1 A. Rds (Ohms): 0.348. Puissance: 74 W

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF640

4.03€ TTC

60 En stock

Transistor IRF640 N-MOS 200V 18A/72Ap. 125W 0.18R(11A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dt/dv Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 18 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 11 A.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRF640N

3.25€ TTC

200 En stock

Transistor IRF640N N-MOS 200V 18A/72Ap. 150W 0.15R(13A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dt/dv Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 18 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 13 A.

0

Tarifs dégressifs

Transistor IRF644

5.04€ TTC

150 En stock

Transistor IRF644 N-MOS 250V 14A 125W<0.28R(8.4A. HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 14 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 8.4 A. Rds (Ohms): 0.28.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF6645TRPBF

9.97€ TTC

21 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 100V. Courant de Drain maxi: 5.7A. Puissance: 42W. Rds: 0.028 Ohm. DirectFET POWER MOSFET. Boîtier: ISOMETRIC.

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF710

3.25€ TTC

49 En stock

Transistor IRF710 N-MOS 400V 2A 36W <3.6R (1.2A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Tension de Drain maxi: 400 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.2 A. Rds (Ohms): 3.6. Puissance: 36 W

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF7101

2.69€ TTC

55 En stock

Transistor double MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 20V. Courant de drain maxi: 3.5A. Puissance: 2W. Rds: 0.15R. HEXFET Power MOSFET. Fast Switching. Boîtier: SO-8

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF7103

2.41€ TTC

84 En stock

Transistor double MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 50V. Courant de drain maxi: 3A. Rds<0.13R. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO-8

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF7104

2.69€ TTC

33 En stock

Double transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 20V. Courant de drain maxi: 2.3A. Résistance passante: 0.25 Ohms. Boîtier: SO-8

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF7205PBF

1.96€ TTC

711 En stock

Transistor MOSFET canal P CMS 30V 4.6A/15Ap 2.5W 70mOhms. Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: IRF7205PBF. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: SO. Boîtier: SO-8. Transistor FET: MOS. 8-pin. Type de canal: Canal P. Vds(max): 30V. Id(T:25): 4.6A. Puissance: 2.5 W. Id(T:100): 3.7A. Id(imp): 15 Ap. Idss (min): 1 uA. Idss (

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF730

3.25€ TTC

128 En stock

Transistor IRF730 N-MOS 400V 5.5A/22Ap. 75W 1R (3.3A). V-MOS. Tf 14nS. td(on)10nS. td(off)14nS. Fast Switching. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 400 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.3 A.

0

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IRF730-ST

3.08€ TTC

10 En stock

Transistor MOSFET canal-N 400V 5.5A/22Ap 100W. Résistance passante RDSon : 0.75 Ohms (3.5A)

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Tarifs dégressifs

Transistor IRF7303

2.52€ TTC

34 En stock

N-MOS DUAL CMS 30V 4.9A/20Ap 2W 8p.

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Tarifs dégressifs

Transistors

Transistor IRF610

Transistor IRF610 N-MOS 200V 3.3A 36W<1.5R(2.1A). VGS @10V. Constructeur: VISHAY. Boîtier: TO-220AB. Puissance dissipable. 36 W. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.1 A. Rds (Ohms): 1.5 Ohm

Transistor IRF620

Transistor IRF620 N-MOS 200V 5.2A 50W <0.8R(3.1A. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5.2 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.1 A. Rds (Ohms): 0.8. Puissance: 50 W

Transistor IRF6215

Transistor MOSFET canal P 150V 13A/44Ap 110W 0.29R (9A)

Transistor MOSFET canal-P IRF6215SPBF

Transistor MOSFET canal-P. Montage en surface (CMS). 150V 13A/44Ap 110W. Résistance passante RDSon : 0.29 Ohms (9A)

Transistor IRF630

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 200V 9A. Boîtier: TO-220. Vds(max): 200V. Id(@25ºC): 9A. Puissance: 75W. Résistance Rds: 0.35 Ohms. MESH OVERLAY MOSFET.

Transistor IRF630B

Transistor IRF630B N-MOS 200V 9A/36Ap.72W 0.34R(5.7A). N-Channel MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: Fairchild. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5.7 A. Rds (Ohms): 0.34.

Transistor MOSFET canal-N IRF630FP

Transistor MOSFET canal-N 200V 9A/36Ap.35W. Résistance passante RDSon : 0.4 Ohms (5.4A)

Transistor IRF634

Transistor IRF634 N-MOS 250V 8.1A 74W <0.45R(5A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8.1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5 A. Rds (Ohms): 0.45. Puissance: 74 W

Transistor IRF634B

Transistor IRF634B N-MOS 250V 8.1A 74W <0.348R(5.1A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8.1 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 5.1 A. Rds (Ohms): 0.348. Puissance: 74 W

Transistor IRF640

Transistor IRF640 N-MOS 200V 18A/72Ap. 125W 0.18R(11A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dt/dv Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 18 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 11 A.

Transistor IRF640N

Transistor IRF640N N-MOS 200V 18A/72Ap. 150W 0.15R(13A). HEXFET Power MOSFET. Dynamic dt/dv Rating. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 18 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 13 A.

Transistor IRF644

Transistor IRF644 N-MOS 250V 14A 125W<0.28R(8.4A. HEXFET Power MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 250 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 14 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 8.4 A. Rds (Ohms): 0.28.

Transistor IRF6645TRPBF

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 100V. Courant de Drain maxi: 5.7A. Puissance: 42W. Rds: 0.028 Ohm. DirectFET POWER MOSFET. Boîtier: ISOMETRIC.

Transistor IRF710

Transistor IRF710 N-MOS 400V 2A 36W <3.6R (1.2A). V-MOS. MOS-N-FET. Constructeur: IR. Tension de Drain maxi: 400 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 2 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 1.2 A. Rds (Ohms): 3.6. Puissance: 36 W

Transistor IRF7101

Transistor double MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 20V. Courant de drain maxi: 3.5A. Puissance: 2W. Rds: 0.15R. HEXFET Power MOSFET. Fast Switching. Boîtier: SO-8

Transistor IRF7103

Transistor double MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 50V. Courant de drain maxi: 3A. Rds<0.13R. HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO-8

Transistor IRF7104

Double transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 20V. Courant de drain maxi: 2.3A. Résistance passante: 0.25 Ohms. Boîtier: SO-8

Transistor IRF7205PBF

Transistor IRF730

Transistor IRF730 N-MOS 400V 5.5A/22Ap. 75W 1R (3.3A). V-MOS. Tf 14nS. td(on)10nS. td(off)14nS. Fast Switching. Constructeur: IR. Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 400 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.3 A.

Transistor MOSFET canal-N IRF730-ST

Transistor MOSFET canal-N 400V 5.5A/22Ap 100W. Résistance passante RDSon : 0.75 Ohms (3.5A)

Transistor IRF7303

N-MOS DUAL CMS 30V 4.9A/20Ap 2W 8p.

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